Published
2024-06-22
Section
Articles
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
How to Cite
Основные причины возникновения микроплазм в pn переходе кремниевых диодов
Марат Тагаев
Каракалпакский государственный университет имени Бердаха, ул. Ч.Абдиров
Али Абдреймов
Каракалпакский государственный университет имени Бердаха, ул. Ч.Абдиров
Жасмина Хожамуратова
Каракалпакский государственный университет имени Бердаха, ул. Ч.Абдиров
Keywords: avalanche breakdown, microplasma, dislocations
Abstract
Assumptions that the emission of light from microplasma is closely related to impact ionization, because with the disappearance of light emission, impact ionization also disappears. The change in the current-voltage characteristic associated with the appearance of microplasma decreases with increasing ambient temperature, and therefore the additional conductivity associated with microplasma decreases. At sufficiently high temperatures, the break in the current-voltage characteristic, corresponding to the appearance of microplasma, disappears and, in connection with this, the temperature dependence of the breakdown voltage or current also changes.
References
Senitzky В., MollJ. L.-Phys. Rev., 1958,v .110,N3, p.612-620 .
Champlin K. S.-J.Appl.Phys.,1959,v .30,N7,p.1039-1050 .
MclntyreR.J.-J.Appl.Phys.,1961,v .32,N6,p.983-995 .
KikuchiM.,TachikawaK.—J.Phys.Soc.Japan,1960,v .15,N5,p.835—848.
PoleshukM.,DowlingP.H.—J.Appl.Phys.,1963,v.34,N10,p.3069-3077 .
Аладинский В. К., Курнышева Г. И., Сущик А. С ,Тимербулатов А. М. Шумы в начале
пробоя кремниевых и германиевых р-n-переходов.-Электрон,техн.,сер.2 ,
Полупроводн.приборы,1970,в.7(57),с. 44-48.
Аладинский В. К., Королев О. В., Саломыкова М. В., Тимербулатов А. М. Статистиxеские
флуктуации лавинного тока в микроплазмах. -Электрон, техн., сер. 2, Полупроводн. приборы,
, в. 4(68), с.46—54.
Палей В. М., Викулин И. М., Дворецкий В. В. Вольтамперная характеристика микроплазмы
в германиевом р-n -переходе.—ФТП, 1972, т. 6, в.3 ,с.555—556.
Аладинский В. К., Дашин В. И., Сущик А. С ,Тимербулатов А. М. О флуктуациях лавинного
тока в искусственной микроплазме на Si.-Радиотехн. и электрон.,1973, .т.18,в.2,с.342—349.
Пожела Ю. К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.. 1977. 368с.
Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробоя р-n-перехода в полупроводниках.
Л.,1980.152с.
W. S h о k 1 e y, Bull. Amer. Phys. Soc. 5, 161 (I960).
