Open Academia: Journal of Scholarly Research

Моделирование микроплазм p-n перехода и теоретической исследование поверхности состояния полупроводника с учетом квантовым физики с методом эффективных волновых функций

Хожамуратова Ж.Р

Каракалпакский государственный университет имени Бердаха

Ключевые слова: локализованного, уже, локального, пробоя

---

Аннотация

Действительно, уже в самых первых исследованиях лавинного пробоя p-n переходов и диодов Щоттки было показано, что пробой в них сильно локализован. Область локального пробоя имеет малые геометрические размеры и существенно меньшее рапряженые пробоя по сравнению с однородными областями. Область такого локализованного пробоя была названа микроплазмой

---

Библиографические ссылки

А.С.Тагер,М.В.Вальд-Перлов .Лавинно -пролетные диоды и их применение в технике СВЧ.Советское радио,М.:1968, 480c.

И.В.Грехов .Ю.Н.Сережкин .Лавинный пробой p-n перехода в полуповодниках.-Л.:”Энергия”,1980,152c.

R.J.McJnture Theory of microplazma instability in silicon.-J.Appl.phys.,1961,v.32,N6,p.31-43.

К.Рейви.Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии.-М.:”МИР”,1984,472c.

W.Schroter,R.Labush Electrical properties of dislocation in Ce and Si.-Phys.stat .sol.,1969,v.36, N2, p. 539-550.

Т.Я.Пуритис,И.Э.Озолинь,Ф.Я.Крике,Л.А.Фрейберг.Микроплазменные явления в электронно –дырочных переходах кремния.-В сб.:Полупроводники и их применение в электротехнике .Изд-во Ан Лат.ССР,Рига ,1969.

Т.Я.Пуритис, И.Э.Озолинь, Ф.Я.Крике, Я.П.Муранс, Я.К.Балодис. Микроплазменные явления в кремниевом электронно дырочном переходе .Физика p-n переходов .-Рига ,1966,с.383-390.

A.Goctsberqer,B.M.McDonald,R.N.Haits,R.M.Scarlitt.-Avalanche effects in in silicon p-n junctions.-J.Appl.phys.,1963?v.34,N6,p.1591-1600.

N.F.Neve,K.A.Hyqes,R.R.Thornton Scanning electron microcope as a means of studying microplasmas at hiqh resolution.-J.Appl.phys.,1966,v.37,N4,p.1704-1709.

A.S.Grove, D.J.Fitzqerald Surface effects on p-n junctions.-Sold-stat .electron .,1966.v.9,N8,p.793-806.

А.И.Шкребтий.Микроплазменный пробой диодов Шоттки и резких p-n – переходов с неидеальной границей раздела .- Тезисы докладов УШ-совешания

К.А.Исмайлов,В.И.Файнберг,А.И.Шкребтий.Исследование влияния МПна неоднородности токопрохожления и температуры в и GaAs ЛПД.-Тезисы докладов на П- Всесоюзный конференции по физике и технологии тонких пленок . Ивано –Франковск,1984,т.2,с.330.

М.Б.Тагаев,А.И.Шкребтий.Исследование температурных особенностей микроплазменного пробоя в арсенидгаллиевых лавинно пролетных диодах .-Сборник научных трудов НГУ,г.Нукус,1987,с.54-58.

А.И.Шкребтий, М.Б.Тагаев,С.И.Глушенко.Методика неразрушающего контроля параметров и прогнозирование надежности кремниевых стабилитронов.-IV-отраслевой семинар.Аналитические методы исследования материалов и изделии микроэлектроники ,г.Запарожье ,1987,с.30.

Р.М.Терешук ,К.М.Терешук, С.А.Седов. Полупроводниковые приемно –усилительные устройства,-Киев :Наукова думка,1988,с.800.

Шокли.В.Проблемы,связанные с p-n переходами в кремнии.-УФН,1962,г.77.

Акимов П.В.,Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя диодов ,изготовленных из кремния с высоким содержанием раствореннго кислорода.-ФТП,1975,т.9.

Батвин В.В. Влияние частиц SiO2 вольт – амперные характеристики p-n переходов в кремнии.-ФТП,1970,т.4.

Грехов И.В.Физические процессы в мощных кремниевых приборах с p-n переходами /Автореф.дис.на.соиск.учен.степени д-ра физ.-мат.наук.-Л.:1973(Физико-технический институт им .А.Ф Иоффе АН СССР.)

Кюрягян А.С.Исследование ударной ионизации и лавинного пробоя в высоковольных p-n переходах /Автореф.дис.на соиск. Учен.степени канд.техн.наук.-М.:1975.(ВЭИ имени В.И.Ленина.)

Сережкин Ю.Н. Исследование микропрламенного пробоя высоковольтных кремниевых лавинных диодов/ Автореф.дис.на.соиск.учен.степени канд.техн.наук.-М.:1973(ВЭИ имени В.И.Ленина.)

Chynoweth A.G.,Pearson G.L.Effect of dislocations on breakdown in silicon p-n junctions.-J. Appl. Phys., 1958,v.29.

Goetzberger A., Stephens C. Voltagt dependence of microplasma density in p-n –junctions in silicon.-J.Appl.Phys.,1961,v.32,N 12

Kikuchi M., Tachikawa K.Visible light emission and microplasma phenomena in silicon p-n –junctions.-J.Phys.Soc.Jap., 1960,v.15,pt.1;Classification of weak spots in diffused p-n –junctions.-J.Phys.Soc.Jap.,1960,v.15,pt.2.

Kressel H.A review of the effect of imperfections on the electrical breakdown of the p-n –junctions.-RCA Rev.,1967,v.28.

В.А.Волков,Т.Н.Пинскер,ФТТ23,1756(1091).

Б.А.Волков ,О.А.Панкратов,Письма в ЖЭТФ 42,145(1985)

Б.А.Волков,Б.Г.Идлис ,М.Ш.Усманов ,УФН165,700(1995)

В.А.Волков,Т.Н.Пинскер,ЖЭТФ70,2268(1976)..

В.А.Волков,Т.Н.Пинскер,ЖЭТФ72,1087(1977).

V.A.Volkov and T.N.Pinsker .Surf .Sci/81.181(1979)

Ф.Т.Васко,Письма в ЖЭТФ 30,574 (1979).

Ж.А.Девизорова ,В.А.Волков,Письма в в ЖЭТФ98 ,110(2013)

Ж.А.Девизорова,А.В.Щепетильников,Ю.А.НефедовВ.А.Волков,И.В.Кукушкин,Письма в ЖЭТФ 100,111(2014)

V.V,Enaldiev and V.A.Volkov.arxiv:1509.07532

З7. В.А.Волков,В.В.Еналдиев,ЖЭТФ,2016,том 149,вып.3,стр.702-716

Еналдиев Владимир Викторович .Свойства краевых и поверхности состояний в дираковские материалах. Автореф.дис.на соиск. Учен.степени канд.физ-мат.наук.-М.:2017г.

Аксенов Сергей Владимирович .Кинетические итопологические свойства квантовых структур с сильным взаймодействием зарядовых и спиновых степеней свободы. Автореф.дис.на соиск. Учен.степени доктор.физ-мат.наук.-Красноярск.:2021г.